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Si3529DV
Vishay Siliconix
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
4
V GS = 10 V thru 5 V
8
3
6
4V
T C = 125 °C
2
4
1
25 °C
2
- 55 °C
3V
0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
1
2
3
4
5
0.25
0.20
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
280
210
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
0.15
V GS = 4.5 V
140
0.10
V GS = 10 V
70
0.05
0.00
0
C rss
C oss
0
2
4
6
8
10
0
8
16
24
32
40
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 2.25 A
8
2.0
1.7
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
I D = 2.2 A
V GS = 10 V
6
4
2
0
V DS = 20 V
V DS = 32 V
1.4
1.1
0.8
0.5
0
1
2
3
4
5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
4
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 73455
S09-2277-Rev. C, 02-Nov-09
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